NTHL060N065SC1_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:49A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:33mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有49A的导通电流（ID），适用于处理较大负载的电路中。其漏源电压（VDSS）为650V，适合应用于高压环境中。导通状态下，该MOSFET的导通电阻（RDSON）仅为33毫欧，有助于减少能量损耗，提升系统的整体效率。栅源电压（VGS）范围从-5V至@0V，提供了灵活的驱动选择。该元件可广泛用于高性能电力转换装置，如高效的开关电源、电力调节模块等，以实现稳定的电力传输和转换功能。
