SCT20N170AG_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:72A 参数2：电压VDSS:1700V 参数3：RDON:45mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅场效应管（MOSFET）属于N沟道类型，具备72安培的持续漏极电流能力（ID），支持高达1700伏特的漏源电压（VDSS）。其导通电阻仅为45毫欧姆（RDON），有助于减少能量损耗并提高效率。该器件能够承受最大20伏特的栅源电压（VGS），适用于要求高性能与高可靠性的电子电路中。由于其卓越的电气特性，非常适合需要高效能转换和低功耗的应用场景。
