LSIC1MO120G0080_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:36A 参数2：电压VDSS:1200V 参数3：RDON:80mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有36A的连续电流ID/A，耐压值VDSS/V高达1200V，导通电阻RDSON/mΩ为80毫欧，并支持栅源电压VGS/V±20V。其设计适用于高电压要求的应用环境，在诸如高端消费电子产品、电信设备的电源管理系统以及精密控制电路等领域，能够提供可靠的性能和稳定的运行，确保电力传输的高效与安全。
