NTH4L160N120SC1_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:19A 参数2：电压VDSS:1200V 参数3：RDON:160mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅场效应管（MOSFET）属于N沟道类型，其最大导通电流ID为19A，在保证安全工作的前提下，能够承受的最大漏源电压VDSS为1200V。该器件的导通电阻RDSON仅为160毫欧，有助于减少能量损耗。其栅源电压VGS的最大值为20V，确保了良好的开关性能。此MOSFET适用于需要高电压处理能力和低电阻特性的电子设计中，能够在多种电路条件下提供可靠的电流控制功能。
