SCTW70N120G2V_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:115A 参数2：电压VDSS:1200V 参数3：RDON:16mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
这款碳化硅场效应管（MOSFET）属于N沟道类型，具备出色的电气特性。其最大导通电流（ID）可达115A，在保证可靠性的前提下支持高电流应用；而最大漏源电压（VDSS）为1200V，确保了在高压环境下的稳定工作。此外，该器件的导通电阻（RDSON）仅为16毫欧，有助于减少功率损耗，提升效率。栅源电压（VGS）的最大值为15V，确保了有效的开关控制。这些参数共同作用，使该MOSFET适用于多种要求苛刻的电路设计中，能够在高频开关应用中提供卓越性能。
