SCT018W65G3AG_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:120A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:15mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）提供120A的最大连续漏极电流，能够承受650V的漏源电压。其低至15mΩ的导通电阻有助于减少功率损耗并提高效率。栅源电压为15V，确保了良好的驱动特性。适用于需要高效能和高稳定性的电力转换应用，如电源供应器、逆变装置等领域，满足对电气性能有严格要求的各种电子系统需求。
