NVH4L080N120SC1_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:32A 参数2：电压VDSS:1200V 参数3：RDON:75mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）的最大导通电流（ID）为32A，适用于高密度功率应用场合。器件拥有高达1200V的漏源电压（VDSS），能够确保在高压条件下依然保持稳定性能。导通电阻（RDSON）为75毫欧，有助于减少能量损耗，提升系统的整体效率。栅源电压（VGS）的最大值为15V，确保了良好的开关控制特性。该MOSFET凭借其优异的电气特性，适用于各种需要耐高压和低损耗的高频开关电路设计。
