NTH4L015N065SC1_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:120A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:15mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅场效应管（MOSFET）具备出色的电气特性，其连续电流ID/A达到120A，能够承受的最大漏源电压VDSS/V为650V。该器件的导通电阻RDON仅为15毫欧（mΩ），有助于减少能量损耗。其栅源电压VGS/V的最大值为15V，确保了可靠的开关性能。作为一款N沟道MOSFET，它适用于高频率开关电源、太阳能逆变器以及其他要求高效率和可靠性的电力转换系统中。
