G3R40MT12K_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:63A 参数2：电压VDSS:1200V 参数3：RDON:32mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有63A的连续电流ID/A，适用于需要高效能的应用场景。其最大漏源电压VDSS/V为1200V，提供稳定的高压操作保障。该器件的导通电阻RDON为32毫欧，有效降低了导通状态下的功率损耗。栅源电压VGS/V为±15V，确保了精确的控制信号传输。此MOSFET适用于高频开关电源、可再生能源转换装置等领域，能够在严苛环境下保持良好的工作性能。
