IMZ120R140M1HXKSA1_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:19A 参数2：电压VDSS:1200V 参数3：RDON:160mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
这款N沟道碳化硅场效应管(MOSFET)具备19A的最大漏极电流和高达1200V的漏源电压，适用于需要高电压处理能力的应用场景。其导通电阻为160mΩ，有助于平衡性能与功耗。栅源电压范围达到20V，确保了良好的驱动兼容性。该MOSFET特别适合于高性能电源管理、可再生能源转换系统等领域，在这些应用中，它能够提供稳定可靠的电气性能，并且支持紧凑的设计需求。
