G2R1000MT17J_TO-263-7L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263-7L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：800/圆盘 参数1：电流ID:6A 参数2：电压VDSS:1700V 参数3：RDON:700mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅场效应管（MOSFET）属于N沟道类型，其最大工作电流ID/A可达6A，能够承受的最大漏源电压VDSS/V为1700V。导通电阻RDSON/mΩ为700毫欧，在栅源电压VGS/V范围内可操作，该范围从-4V至!8V。此MOSFET适用于要求高效率与可靠性的电路设计中，如电源转换及高频开关应用领域，能够在严苛的工作环境下保持稳定性能，提供出色的电气特性。
