IMW120R014M1HXKSA1_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:115A 参数2：电压VDSS:1200V 参数3：RDON:16mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有115A的连续电流承载能力（ID/A），并且能够承受最高1200V的漏源电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON/mΩ）低至16毫欧，有助于降低系统功耗。栅源电压（VGS/V）为15V，确保了精确的开关控制。该MOSFET适用于需要高功率密度和高效能转换的应用场合，能够在高压环境下提供稳定的电流控制功能。
