IMZ120R090M1H_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:36A 参数2：电压VDSS:1200V 参数3：RDON:80mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅场效应管（MOSFET）拥有36A的连续电流（ID）处理能力，同时具备1200V的断态电压（VDSS），适用于高电压应用环境。其导通电阻（RDSON）为80毫欧，有效降低了导通状态下的能量损耗。作为一款N沟道类型器件，它支持最高20V的栅源电压（VGS），确保了在各种应用中的可靠性和快速切换性能。此MOSFET适用于高频开关电源、逆变技术和电力调节模块等领域的电力转换需求。
