SC032N120T8L_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:63A 参数2：电压VDSS:1200V 参数3：RDON:32mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
此款碳化硅场效应管（MOSFET）具备出色的电气特性，其最大导通电流（ID/A）为63A，能够承受高达1200V的最大漏源电压（VDSS/V）。导通电阻（RDSON/mR）仅为32毫欧姆，在确保高效能的同时，减少了功率损耗。栅源电压（VGS/V）额定值为15V，表明其适用于需要快速开关的应用。作为N沟道类型，该器件能够在正向电压下导通，适用于要求严苛的高频开关电源以及其他需要高性能、高可靠性的电子设备中。
