SCTWA35N65G2VAG_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:49A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:33mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有49A的连续导通电流（ID/A），适用于大电流应用环境。器件设计支持650V的最大漏源电压（VDSS/V），确保在高压条件下可靠运行。其导通电阻（RDSON/mΩ）仅为33毫欧，有助于减少系统功耗，提升整体效率。栅源电压（VGS/V）的操作范围为-5V至@0V，增强了控制信号的兼容性。此MOSFET适用于需要高性能、低损耗特性的电力转换解决方案。
