NVH4L040N120M3S_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:63A 参数2：电压VDSS:1200V 参数3：RDON:32mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅场效应管（MOSFET）具备出色的电气特性，其连续电流（ID）可达63A，在断态电压（VDSS）下可承受高达1200V的电压。导通电阻（RDSON）仅为32毫欧，有助于减少功耗，提高效率。此MOSFET为N沟道类型，栅源电压（VGS）的最大值为15V，确保了良好的开关性能与可靠性。适用于要求严苛的电源转换及逆变场合，能够在高频下工作，提供稳定且高效的电力处理能力。
