MSC040SMA120B_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:55A 参数2：电压VDSS:1200V 参数3：RDON:40mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅场效应管（MOSFET）具有N沟道结构，最大连续电流（ID/A）为55安培，适合处理大电流需求的电路。其最大漏源电压（VDSS/V）为1200伏特，提供可靠的高压保护。导通状态下的漏源电阻（RDSON/mR）为40毫欧，有助于减少热耗散，提升整体效率。栅源电压（VGS/V）为18伏特，确保了精确的控制信号阈值。这种MOSFET适用于高频开关电源设计，以及需要低损耗、高耐用性的电子装置中。
