IMW120R140M1HXKSA1_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:18A 参数2：电压VDSS:1200V 参数3：RDON:160mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
这款碳化硅场效应管（MOSFET）属于N沟道类型，其最大漏极电流ID可达18A，最高漏源电压VDSS为1200V，导通电阻RDON低至160毫欧，栅源电压VGS范围为20V。该器件利用碳化硅材料的优异特性，实现了在高压环境下的高效能与稳定性，同时保持了较低的导通损耗。适用于需要高效率转换和高可靠性的电力电子设备中，如电源适配器、太阳能逆变器及风能转换系统等。
