CMS120N080WK_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:32A 参数2：电压VDSS:1200V 参数3：RDON:75mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道碳化硅场效应管(MOSFET)具有良好的电气特性，最大漏极电流ID可达32A，支持1200V的漏源电压VDSS，适合高压环境下的应用。其导通电阻RDON为75mΩ，有助于降低功耗并提高效率。该MOSFET的工作栅源电压VGS为15V，确保了在多种电子设计中的兼容性与灵活性。凭借快速的开关速度和低损耗特点，它非常适合要求高效能和高可靠性的电力转换及控制方案中使用。
