C2M1000170J-TR_TO-263-7L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263-7L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：800/圆盘 参数1：电流ID:6A 参数2：电压VDSS:1700V 参数3：RDON:700mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有6A的连续电流ID，以及高达1700V的VDSS漏源电压额定值。其导通电阻RDSON为700毫欧，在-4V到!8V的VGS栅源电压范围内工作。这些特性使得它非常适合用于高电压要求的电力转换设备，如高效的开关电源模块、太阳能发电系统的逆变环节以及复杂环境下的电机调速器中，确保了电路的稳定性和可靠性。
