AO3456_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:5.8A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:22mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有以下主要参数：最大漏极电流ID为5.8A，漏源电压VDSS为30V，导通电阻RDON为22mΩ，栅源电压VGS为20V。该器件适用于需要高效能与低导通损耗的电路设计，例如电源管理、开关稳压器及负载开关等场景。其低导通电阻特性有助于减少工作时的功率损耗，提高整体系统效率，并且支持较高的电流承载能力，适合用于紧凑型高密度电路板布局。
