BSS138P,215_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:0.2A 参数2：电压VDSS:50V 参数3：RDON:1100mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具备0.2A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为50V。其导通电阻为1100mΩ，能够在保持较低功耗的同时提供可靠的开关性能。栅源电压阈值为20V，适合于需要精确控制的应用场景。此MOSFET适用于各种小型电子设备、消费电子产品及便携式装置中的电源管理、信号切换等场合，特别是对于空间有限且对效率有一定要求的设计尤为合适。
