NTR4003NT1G_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:2.3A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:120mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款P沟道MOSFET具有2.3A的漏极电流能力和20V的最大漏源电压，适用于多种电子电路设计。其导通电阻仅为120毫欧姆，有助于减少功耗并提高效率。栅源电压范围为12V，确保了可靠的开关控制。该场效应管适合于电源管理、信号处理等应用场景，在要求紧凑尺寸与高性能表现的消费电子产品中尤为适用。
