L2SK3018WT1G_SOT-323_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-323 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:0.1A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:1500mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有0.1A的最大连续漏极电流（ID）和30V的漏源极击穿电压（VDSS），适合用于低功耗电路的设计中。其导通电阻（RDON）为1500毫欧，即使在小电流应用中也能保持较低的功耗，提升整体效率。该MOSFET支持高达20V的栅源电压（VGS），为不同的应用场景提供了灵活性。此款元件凭借其紧凑的尺寸和优秀的电气性能，特别适用于便携式电子产品和信号处理电路中。
