LBSS84LT1G_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:0.1A 参数2：电压VDSS:50V 参数3：RDON:2000mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该款P沟道场效应管（MOSFET）具备0.1A的连续漏极电流能力，耐压值高达50V。其导通电阻为2000mΩ，确保了在低电流应用中拥有较低的功率损耗。该MOSFET的栅源电压范围为±20V，适用于需要精确控制开关状态的电路设计。此元件特别适合用于便携式电子设备中的电源管理与信号切换，以及需要高效能和小尺寸解决方案的设计场合。
