AS2304_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:5.8A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:28mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
此款N沟道场效应管（MOSFET）具备出色的电气特性，最大漏极电流ID可达5.8A，击穿电压VDSS为30V，导通电阻RDON仅为28mΩ，在VGS为12V时表现尤为优异。这些参数确保了该MOSFET在高效率电源转换、快速开关应用及精密电流控制等场景中能够提供稳定可靠的表现。其低导通电阻有助于减少发热，提高系统整体能效，适用于各种需要高效能与小体积解决方案的设计项目。
