AS2308_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:3A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:72mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具有3A的最大漏极电流（ID）和60V的击穿电压（VDSS），在20V栅源电压（VGS）下工作时，其导通电阻（RDON）为72毫欧。这种配置使其特别适合于要求高效率和低功耗的应用场合，如便携式电子设备的电源管理、信号放大和数字电路设计中的开关功能。其低导通电阻特性有助于降低能量损耗，提升整体系统的性能。
