APM2360AC-TRG_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:3A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:72mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有3A的最大连续漏极电流（ID）和60V的漏源极击穿电压（VDSS），确保了其在高电压环境下的稳定工作性能。其导通电阻（RDS(on)）仅为72mΩ，在20V的栅源极电压（VGS）下，能够有效降低发热，提高转换效率。适用于多种电路设计，包括但不限于电源转换、电池保护和电子开关等应用场景，是实现高效、可靠电路设计的理想选择。
