AS2328_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:2A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:220mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具有2A的最大连续漏极电流（ID/A）和100V的漏源击穿电压（VDSS/V），适用于多种电路设计中的开关或放大功能。其导通电阻（RDON/mR）为220毫欧，在保证高效能的同时，有助于减少发热，提高系统稳定性。该器件支持的工作电压范围宽广，最高可达±20V（VGS/V），确保了在复杂环境下的可靠运行。此款MOSFET凭借其优异的电气性能，适合应用于精密电子设备中，如电源管理、信号处理等场合。
