ME7114S_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:45A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:6mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具备45A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源极耐压（VDSS），适用于多种高效率转换需求的场合。其导通电阻（RDON）低至6mΩ，有助于减少工作时的能耗与发热。最大栅源电压（VGS）为±20V，能够适应广泛的工作环境。此MOSFET特别适合应用于精密的电源管理、快速切换电路及复杂的电子设备中，提供稳定的性能支持。
