ASDM20N60KQ-R_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:60A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:6mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具备60A的连续漏极电流承载能力，最大漏源电压耐受值达到20V，导通电阻仅为6mΩ，在12V的栅源电压下能保持良好的工作状态。该MOSFET适用于要求高效率和低热损耗的应用场景，如开关电源、电池管理系统及各种电子设备中的负载控制电路等。其出色的电气特性确保了在紧凑设计中实现高性能表现，同时支持快速开关动作，有助于减少能耗并提高系统稳定性。
