AP9971AGM_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:6.5A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:32mR 参数4：沟道类型:N+N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具备6.5安培的最大连续漏极电流（ID/A），以及60伏特的最大漏源电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDON/mR）为32毫欧，在确保高效性能的同时，降低了功率损耗。该MOSFET的工作电压范围宽广，最大栅源电压（VGS/V）可达±20伏特，适用于多种电路设计需求。此元件特别适合用于开关电源、电池管理、信号放大及各种便携式电子设备中，能够提供稳定可靠的性能表现。
