AP3P050AH_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:20A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:36mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
此款P沟道场效应管（MOSFET）具备20A的连续漏极电流承载能力，最大漏源电压承受值为30V，导通电阻仅为36mΩ，在20V的栅源电压下表现出色。该MOSFET适用于需要高效能开关特性的电路设计中，如电源管理、电池充电控制以及各种便携式电子设备中的负载切换应用。其低导通电阻特性有助于减少发热，提高系统效率，同时紧凑的封装形式使其易于集成到空间受限的设计中。
