AP3P011YT_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:55A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:8mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款P沟道MOSFET具有55A的连续漏极电流(ID/A)和30V的最大漏源电压(VDSS/V)，适用于要求高效能和高可靠性的电路设计。其导通电阻仅为8mΩ(RDON/mR)，显著降低了工作时的热损耗，提升了系统的整体效率。该MOSFET支持20V的栅源电压(VGS/V)，能够适应广泛的驱动电压需求。这款器件特别适合应用于电源转换、电池管理和电子负载控制等场景，是高性能电子产品设计的理想选择。
