AP3P080N_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:4.2A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:45mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款P沟道场效应管（MOSFET）具有4.2A的最大漏极电流（ID）和30V的漏源极间最大耐压（VDSS）。其导通电阻（RDON）为45mΩ，在轻负载条件下也能保持较低的功耗。栅源极电压（VGS）范围为±12V，确保了在多种应用场景下的兼容性和稳定性。该MOSFET适用于便携式电子设备、电池管理系统以及开关电源等领域的电路设计，能够实现高效、可靠的开关与调节功能。
