AP3N5R0MT_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:90A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:3.5mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有强大的电气特性，最大漏极电流ID高达90A，最高漏源电压VDSS为30V，导通电阻RDON仅3.5mΩ，确保了在VGS=20V时的高效导通能力。它适用于需要处理大电流和追求低功耗的应用场景，如电源转换、电池充电控制及各类电子装置中的开关操作。凭借其优异的性能，此MOSFET是构建高效、稳定电子系统的理想选择。
