AP3N5R0AH_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:100A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:3.8mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）设计用于高效率的电子设备中，拥有100A的连续漏极电流（ID/A）和30V的最大漏源电压（VDSS/V），满足高功率需求。其导通电阻仅为3.8mΩ（RDON/mR），有助于降低工作时的热损耗，提升整体性能。20V的栅源电压（VGS/V）保证了器件在宽范围内的稳定操作。适用于电源管理、信号放大及各类电子装置中的开关应用。
