AP3N4R0H_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:120A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:3mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该款N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的最大连续漏极电流和30V的漏源击穿电压，适用于要求高效率和可靠性的电路设计。其导通电阻仅为3mΩ，在确保高效能的同时，有效降低了功率损耗。该器件支持最高20V的栅源电压，能够灵活应对各种应用场景的需求。无论是电源管理还是信号调节，这款MOSFET都能提供稳定的表现，是电子设计中的理想选择。
