AP3NA7R2YT_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:55A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:4.7mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道MOSFET场效应管设计精良，具备55A的最大漏极电流ID和30V的最大漏源电压VDSS。其导通电阻RDON低至4.7mΩ，确保了在±20V的栅源电压VGS条件下，能够提供卓越的导电性能。适用于电源转换、信号处理及各类电子设备中的快速开关应用，有助于提升系统的整体效能，同时降低能量损耗。
