AP10NB2R0TL_TOLL_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TOLL 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2000/圆盘 参数1：电流ID:350A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:1.4mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款N沟道场效应管（MOSFET）具有出色的电气性能，最大漏极电流可达350A，击穿电压高达100V，导通电阻仅为1.4mΩ。其栅源电压范围为20V，确保了在各种复杂电路环境下的稳定工作能力。该MOSFET适用于高效能开关电源、太阳能逆变器及各类精密电子设备中的快速切换与信号放大应用，能够显著提升系统的效率与可靠性。
