AP18P10AGH_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:20A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:90mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
这款P沟道MOSFET拥有20A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源极耐压（VDSS），能够适应广泛的工作条件。其导通电阻（RDON）为90mΩ，在20V栅源电压（VGS）条件下表现出色，有助于降低功耗并提升系统效率。该元件适合应用于电源转换、信号调节以及各种电子设备中的开关控制，为设计者提供灵活且高效的解决方案。
