AP2P052N_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:5A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:35mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款P沟道场效应管（MOSFET）拥有5A的连续漏极电流（ID/A）和20V的漏源击穿电压（VDSS/V），适合应用于各种精密控制和调节系统。其导通电阻为35mΩ（RDON/mR），有助于减少热耗散，提高整体效率。最大栅源电压为12V（VGS/V），保证了器件在不同工作条件下的稳定性和可靠性。该MOSFET特别适用于需要高效能和低功耗特性的电路设计，如电源管理、信号切换及保护电路等。
