AS2341_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:4.2A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:48mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款P沟道场效应管（MOSFET）提供4.2A的最大连续漏极电流，最大漏源电压为20V，导通电阻低至48mΩ，可在12V的栅源电压下稳定工作。这些特性使其非常适合应用于需要高效率和低热损耗的电路设计中，如电源管理、信号切换和电池保护等场景。凭借其出色的电气性能，这款MOSFET是构建可靠电子设备的关键组件之一。
