AP0904GMT_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:60A 参数2：电压VDSS:40V 参数3：RDON:6.9mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具备出色的电气性能，最大漏极电流ID可达60A，击穿电压VDSS为40V，导通电阻RDON仅为6.9mΩ，在VGS为20V时能提供高效能表现。适用于多种电路设计中的开关或放大功能，尤其适合要求高效率与低损耗的应用场合。其紧凑的设计有助于节省空间，同时保证了良好的散热性能，确保在高负载条件下稳定运行。此款MOSFET是电子设备中实现精准控制与转换的理想选择。
