AP2323GN-HF_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:5A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:30mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款P沟道MOSFET拥有5A的连续漏极电流(ID)、20V的最大漏源电压(VDSS)以及30mΩ的导通电阻(RDON)，支持的栅源电压范围为±10V(VGS)。这些参数表明，该元件特别适合用于低电压、低功耗的应用场合，例如便携式电子设备中的电源切换和逻辑电平转换。其小巧的尺寸和高效的性能，使得这款MOSFET成为电子设计中的理想选择，能够有效提升电路的稳定性和效率。
