AP10N012P_TO-220C_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：电流ID:70A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:8.5mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款N沟道场效应管（MOSFET）拥有70A的最大漏极电流和100V的击穿电压，确保了强大的电流承载能力和电压耐受性。其导通电阻仅为8.5mΩ，有效降低了功率损耗，提高了效率。20V的栅源电压使得该MOSFET能够在广泛的电压范围内稳定工作。它适用于各种高性能电源转换、信号调节和保护电路中，是追求高效能和高可靠性的理想选择。
