AP03N70H_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:4A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:2400mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具有4A的最大漏极电流ID和650V的击穿电压VDSS，能够承受较高的电压波动。其导通电阻RDON为2400mΩ，在VGS=30V时表现出色，适用于需要高耐压和低功耗特性的电路设计。该MOSFET适用于各种精密电子设备中的信号切换与处理，能够在复杂的工作环境中保持稳定的性能输出，同时减少能量损失，提高系统整体效率。
