AP6NA8R0CST_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:80A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:5.3mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款N沟道场效应管（MOSFET）拥有80A的连续漏极电流容量和60V的最大漏源电压承受能力，适用于各种需要高效电流控制的电路。其导通电阻低至5.3mΩ，在20V的工作电压下表现出优异的性能，有助于减少能量损失，提高电路效率。该MOSFET适用于电源管理、信号处理等应用场景，能够提供快速开关速度与稳定的性能表现，是构建高性能电子产品不可或缺的关键组件。
