SM4307PSKC-TRG_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:11A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:13mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款P沟道场效应管（MOSFET）具有11A的最大连续漏极电流（ID）和30V的漏源极间最大电压（VDSS），能够承受较高的电流与电压。其导通电阻（RDON）仅为13mΩ，在保证高效能的同时降低了功率损耗。该器件支持的工作栅源电压范围（VGS）为±20V，提供了灵活的控制选项。适用于多种电源管理场合，如开关电源、电池保护电路以及负载切换等应用中，能够实现精准的电流控制和快速响应。
