AP2307GN-HF_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:4.2A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:48mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款P沟道场效应管（MOSFET）具备4.2A的最大连续漏极电流（ID）和20V的漏源极间最大电压（VDSS），适合应用于要求不高但稳定的电路中。其导通电阻（RDON）为48mΩ，虽然较高，但在低功耗需求的应用场景下仍能保持良好的性能。工作栅源电压（VGS）范围为±12V，确保了器件在不同条件下的稳定性和可靠性。该MOSFET适用于电源开关、信号放大及各类电子设备中的电流控制，提供精确的操作体验。
